长江存储与美光芯片战升级。 3D NAND闪存制造商长江存储，已于9日在美国加州北区地方法院对美国记忆芯片龙头美光科技提告，指控美光侵犯了长江存储8项与3D NAND相关的美国专利。

　　据报道，本次涉案的长江存储的美国专利，包括US10,950,623（3D NAND内存件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维内存件的直通阵列接触 （TAC））、US10,937,806 （三D内存件的直通阵列接触 （TAC））、US10,861,872（三D内存件及其形成方法）、US11,468,957（NAND内存操作的体系结构和方法）、US11,600,342（三D维闪存的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠三D内存件及其制造方法）。


　　长江存储在提告书中称，美光的128层、176层等许多系列3D NAND侵犯了长江存储8项专利。 美光在未经授权的情况下利用长江存储的专利技术来与长江存储进行竞争，保护市场占有率，侵犯了长江存储的利益，遏制了创新的动力。

　　近年来，随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，周边CMOS电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。 为了解决这一问题，长江存储在2018年推出了自研的创新的Xtacking技术。

　　长江存储科成立于2016年7月，总部位于湖北武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。

　　网信办于今年5月21日公布，美光在大陆销售的产品，存有严重的网络安全问题，未通过审查，因此大陆营运商应停止采购美光的产品，代表美光产品在大陆将面临禁售危机。

　　英国金融时报报道，美国于2022年10月对先进芯片生产设备实施出口限制措施，并将长江存储等36家陆企列入贸易黑名单。

　　调查发现，美光多年来一直扮演「商业抓耙子」角色，早年美日半导体竞争之际，美光曾控拆日本多家企业倾销DRAM产品，加上近4年美光提交逾170个游说内容都与大陆有关，基于前述两理由，合理质疑美光这次围杀陆记忆体芯片产业，美光可能是幕后推手。

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