据内部消息透露，美国政府正考虑深化对华出口管制措施，旨在阻碍中国获取先进的全栅场效应晶体管（GAA）技术及高带宽存储器（HBM）技术，这两项技术均为高端芯片制造的关键要素，尤其影响人工智能加速器的效能。
　　
　　GAA晶体管设计因能显著增加晶体管集成度并带来功耗与性能上的优化而备受瞩目，当前仅三星电子在其最先进的3纳米制程中实现了商业化应用。英特尔和台积电分别规划于Intel 20A节点和2纳米节点引入GAA技术。此番限制若实施，无疑将为中国获取最前沿的半导体技术设置更多障碍。
　　

　　尽管美、日、欧已有的出口控制策略已对中国获取16/14纳米以下的半导体制造设备构成限制，中国半导体产业仍旧展现出韧性，通过各种途径提升既有工艺水平，包括实现7纳米芯片的规模化生产，并探索在无须极紫外光刻(EUV)设备的情况下推进至5纳米制程的可能性。
　　
　　业内人士指出，中国半导体制造商或可尝试将GAA技术融入现有的7纳米工艺中，尽管这无法完全比肩3纳米及以下GAA技术的优越性，但仍有望在能效与性能上取得一定进步。借助现有的芯片制造设施，中国可能利用单步图案化技术克服难关。
　　
　　华为云计算部门负责人张平安近期发声，预判中国短期内难以获取3.5纳米及以下级别的芯片制造装备，强调应侧重于挖掘和优化当前7纳米工艺的潜力。
　　
　　截至目前，关于加强对GAA技术出口限制的具体条款尚未见诸官方公告，相关传言均源自匿名信源，其真实度有待验证。相比之下，针对HBM技术出口的新增约束似乎更为紧迫，鉴于HBM技术对推动人工智能芯片创新及生成式AI模型发展的重要性，而人工智能恰为美国严格管控并针对中国实施限制的核心技术领域。

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